上榜理由
新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料
氮化铝由于具有高热传导率、高绝缘电阻系数、优越的机械强度及抗热震性等特性，成为重要的精密陶瓷材料。高性能氮化铝陶瓷更是新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。

材料简介

氮化铝（AlN) 是一种具有六方纤锌矿结构的共价晶体，它是一种重要的高导热、低热膨胀系数的陶瓷材料， 其理论热导率为 320W/(m)，比氧化铝高 5-8 倍，所以耐热冲击性好，能耐 2200℃的极热。此外，它不受铝液和其他熔融金属及砷化镓的侵蚀，具有极好的耐侵蚀性。
由氮化铝粉制成的高性能氮化铝陶瓷，具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低介电常数和介电损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等优良综合性能，非常适用于半导体基片和结构封装材料，被认为是新一代半导体基片和电子器件封装的理想材料。

应用领域

大功率半导体器件、集成电路、电子封装、耐热冲和热交换材料、微波衰减…

发展历程

行业发展目标

1.“十三五”期间工信部、科技部等联合发布的《新材料产业发展指南》指出，要布局一批前沿新材料，包括 石墨烯、增材制造材料、超导材料等。其中增材制造材料要求研究氧化铝、氧化锆、碳化硅、氮化铝、氮化硅等陶瓷粉末、片材制备方法，提高材料收得率与性能一致性。

2.国家工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录（2018 版）》，将氮化铝陶瓷材料列入先进基础材料，提出对应用于高铁、新型显示、新能源汽车、光通讯和智能电网领域的氮化铝陶瓷粉体及基板，其性能具体要求为（1）粉体：碳含量≤2300ppm，氧含量≤ 0.75%，粒度分3 布 D10 ≤ 0.65μm，D50 ≤ 1.30μm，D90 ≤ 3.20μm；比面积≥ 2.8m /g；（2）基板：密度-≥6 3.30g/cm ，热导率（20℃）≥ 180W/m·K，抗折强度≥ 380MPa，线膨胀系数（RT-500℃）4.6-4.8×10 /℃，Ra ≤ 0.3μm。对于应用于电力电子、IGBT 模块等领域的DBC 基板（覆铜陶瓷基板），性能要求为陶瓷氮化铝热导率 >170W/m·K，铜箔电导率≥ 58MS/m， 铜箔硬度 90-110HV。

市场规模预测

据赛瑞研究预测，到 2020 年中国氮化铝粉体市场容量将达 3000 吨。

主要研究单位 / 公司

应用案例

散热基板：

LED 固态照明、新能源、新能源汽车用氮化铝陶瓷基板、大功率电力电子器件 ( 模块 ) 用氮化铝基板、氮化铝陶瓷电路板…

半导体基板：

半导体模块电路基板材料…

电子封装：

电子器件封装材料…