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中国科学家挑战硅基霸权,构建理想弹道输运晶体管,实现二维硒化铟半导体重大跨越
文章来源:新能源网     更新时间:2025-09-11 15:52:06
在新型半导体领域,北京大学团队和美国麻省理工学院团队或许可被称作是“双雄”一般的存在。而北京大学彭练矛院士的学生、北京大学博士毕业生、目前正在美国麻省理工学院从事博士后研究的姜建峰,继以第一作者身份在 Nature 发表弹道输运的硒化铟晶体管研究后,姜建峰近期又以通讯作者兼共同一作的身份,在 Science 发表了关于晶圆级集成硒化铟半导体的重要成果。该系列工作不仅进一步推动了超高性能二维器件的可制造性与系统集成化发展,也引起了业界广泛关注,并于近期收到了英特尔公司以及美国半导体研究联盟的演讲邀请。

 

在此前发表在于 Nature 的研究中,他和合作者构建出一种基于硒化铟的理想弹道输运晶体管,在单个器件层面首次实现能效超越硅基技术,从实验角度回答了二维器件是否能超越硅的核心科学问题。

 

而在最新发表于 Science 的工作中,他和合作者再次实现关键性突破,攻克了硒化铟半导体集成制造的难题,首次将二维硒化铟器件从“单器件”推向“晶圆级平台”,成功实现大面积可集成的二维电子器件,为后摩尔时代的芯片技术打开了新的可能。

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